الإلكترونيات

كيفية تصميم دوائر الإلكترونية المقاومة للتداخل الكهرومغناطيسي؟

تصميم دوائر الإلكترونية المقاومة للتداخل الكهرومغناطيسي يتطلب اتباع بعض الخطوات الأساسية:

1. استخدام مكونات محمية: استخدم المكونات المصممة لتحمل التداخل الكهرومغناطيسي (EMI) والتداخل الكهربائي (RFI)، مثل المحولات المغلفة والمكثفات والمرشحات.

2. تصميم درع: يوفر التصميم الصحيح لدرع التداخل الكهرومغناطيسي حماية إضافية. يمكن تصميم درع بحيث يحمي بطاقة الدائرة المطبوعة (PCB) ، ويمكن استخدام مواد مثل الألمنيوم والنحاس الخ فى تصميم الدرع.

3. تحسين تكوين الدائرة: تجنب تصميم الدائرة الكهربائية التي تسمح بتداخل الأجهزة مع بعضها البعض. يمكن استخدام مواد مثل الدوائر المتزامنة والفرز التشجيعي والحواجز الكهربائية للحد من التداخل.

4. استخدام الجاذبية البصرية: يمكن استخدام الجاذبية البصرية للحد من التداخل الكهرومغناطيسي. على سبيل المثال، استخدم لوحات PCB التي تحتوي على تقاطعات التوجيهية الخاصة والحيادية للحد من التداخل.

5. مراعاة المكان الحراري: قد يؤدي ارتفاع درجة الحرارة داخل الدائرة إلى زيادة التداخل الكهرومغناطيسي. يجب مراعاة الحمل الحراري عند تحديد تكوين الدائرة.

عاملٌ آخرٌ مهمٌ هو امتثال تصميم الدائرة لمعايير الامتثال الإلكتروني العالمية (EMC)، لضمان أن الدائرة قادرة على العمل بكفاءة دون تداخل لبرامج مختلفة.