الفرق الرئيسي بين الترانزيستور ثنائي القطب والتأثير الميداني هو نوع الشحنة المستخدمة في كل منهما.
في الترانزيستور ثنائي القطب (BJT) ، يتم استخدام شحنات الإلكترون والثقوب في الجهاز لتكوين جزء من الدائرة. ويتم التحكم في تدفق هذه الشحنات عن طريق إرسال تيار صغير (المصب) لتحريك شحنات الإلكترون والثقوب عبر المادة من خلال الإشارة الرئيسية (الجزء القاعدي).
أما في الترانزيستور ذو التأثير الميداني (FET) ، فيتم استخدام شحنات الإلكترون فقط لتشكيل جزء من الدائرة. يستخدم التأثير الميداني للتحكم في تدفق هذه الشحنات عن طريق إضافة جهد على الجزء المتحكم فيه (البوابة) وبالتالي يتم تحريك شحنات الإلكترون من خلال المادة.
ومن المهم ملاحظة أن هناك بعض الخصائص الأخرى التي تختلف بين هذين النوعين من الترانزيستورات ، مثل القدرة على التخزين والتعزيز والمدى الترددي وكفاءة الطاقة وغيرها. وتستخدم كل من هذين الترانزيستورين في تطبيقات مختلفة ويتم اختيارهما بناءً على متطلبات الدائرة المحددة.